Бестселлеры

Sodimm DDR3

Sodimm DDR3

Активные фильтры

Оперативная память TeamGroup 2gb ddr3 1333mhz sodimm TSD32048M1333C9-E

250,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память TeamGroup 2gb ddr3 1333mhz sodimm TSD32048M1333C9-E

Модель TSD32048M1333C9-E
Частота памяти 1333 МГц
Объем памяти 2 Гб
Стандарт памяти PC3-10666
Напряжение питания 1.5 В
Тайминги 9-9-9-24
Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz Ramaxel RMT3190ME76F8F-1600

300,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память SO-DIMM DDR3 2Gb 1600MHz Ramaxel RMT3190ME76F8F-1600

SO-DIMM 2GB/1600 DDR3 1,35V Ramaxel: модуль памяти для ноутбуков; объём одного модуля - 2Гб; кол-во модулей - 1.

Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память Samsung ddr3 sodimm 4gb 1333Mhz

550,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память Samsung ddr3 sodimm 4gb 1333Mhz

  • Samsung SODIMM DDR3-1333 4096MB PC3-10600

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: SODIMM DDR3
  • Частота памяти: 1333 МГц
  • Назначение: Для ноутбуков
  • Схема таймингов памяти: CL9
Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память Rendition 4gb 204-pin ddr3 1333 Rm51264bc1339.m16fr

550,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память Rendition 4gb 204-pin ddr3 1333 Rm51264bc1339.m16fr

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: SODIMM DDR3
  • Частота памяти: 1333 МГц
  • Схема таймингов памяти: CL9
  • Количество планок: 1
  • Назначение: Для ноутбуков
Доступно: Последние товары на складе

Оперативная память Kingston 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz acr16d3ls1ngg/4g

650,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память Kingston 4 GB SO-DIMM DDR3 1600 MHz acr16d3ls1ngg/4g

Производитель: Kingston
Назначение: для ноутбуков
Объем, ГБ: 4
Количество планок в комплекте: 1
Стандарт: PC3-12800
Штатные тайминги: CL11
Рабочее напряжение, В:1,5
Радиаторы:нет
Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память Samsung SODIMM DDR3-1600 4096MB PC-12800 m471b5173db0-yk0

650,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память Samsung SODIMM DDR3-1600 4096MB PC-12800 m471b5173db0-yk0

Объем памяти
4 ГБ
Напряжение питания
1.35 В
Частота памяти
1600 МГц
Эффективная пропускная способность
12800 МБ/с
Схема таймингов памяти
CL11
Назначение
Для ноутбуков
Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память SO-DIMM DDR3 4Gb 1600MHz Ramaxel RMT3170EB68F9W-1600

650,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память SO-DIMM DDR3 4Gb 1600MHz Ramaxel RMT3170EB68F9W-1600

SO-DIMM 4GB/1600 DDR3 1,35V Ramaxel: модуль памяти для ноутбуков; объём одного модуля - 4Гб; кол-во модулей - 1.

Доступно: Недостаточно товаров на складе

Оперативная память SODIMM Hynix ddr3 4gb 1600mhz HMT451S6MFR8C-PB

700,00 ₴
Free Shipping

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR3 1600MHz 4GB (HMT451S6MFR8C-PB)

Технические характеристики
Форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3
Объём памяти: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
CAS Latency (CL): CL11
Рабочее напряжение: 1.5 В
Доступно: Последние товары на складе

Оперативная память Samsung ddr3 sodimm 4GB 1333MHz

550,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память Samsung ddr3 sodimm 4gb 1333Mhz

  • Samsung SODIMM DDR3-1333 4096MB PC3-10600

  • Объем памяти: 4 ГБ
  • Тип памяти: SODIMM DDR3
  • Частота памяти: 1333 МГц
  • Назначение: Для ноутбуков
  • Схема таймингов памяти: CL9
Доступно: В наличии

Оперативная память SODIMM DDR3 4GB 1600 MHZ MICRON (MT8KTF51264HZ-1G6E1)

650,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память SODIMM DDR3 4GB 1600 MHZ MICRON (MT8KTF51264HZ-1G6E1)

Объем памяти 4GB
Тип памяти DDR3
Частота памяти 1600 МГц
Напряжение 1.35V
Количество модулей в наборе 1
Тайминги CL11
Доступно: Последние товары на складе

Оперативная память SO-DIMM DDR3 4Gb 1600MHz Ramaxel RMT3160ED58E9W-1600

650,00 ₴
Free Shipping

Оперативная память SO-DIMM DDR3 4Gb 1600MHz Ramaxel RMT3160ED58E9W-1600

SO-DIMM 4GB/1600 DDR3 1,35V Ramaxel: модуль памяти для ноутбуков; объём одного модуля - 4Гб; кол-во модулей - 1.

Доступно: Последние товары на складе

copy of Оперативная память SODIMM Hynix ddr3 4gb 1.35v 1600mhz HMT451S6MFR8C-PB

700,00 ₴
Free Shipping

Модуль памяти HYNIX SO-DIMM DDR3 1600MHz 4GB (HMT451S6MFR8A-PB)

Технические характеристики
Форм-фактор и тип памяти: SO-DIMM DDR3
Объём памяти: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1
Тактовая частота: 1600 МГц
CAS Latency (CL): CL11
Рабочее напряжение: 1.35 В
Доступно: Последние товары на складе